ENI1220 IPM
测试系统
变流器专用IPM测试仪
|
系统概述
|
|
基础配置
|
|
该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,
系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。
|
|
电压
|
电流
|
|
|
标配
|
选配
|
标配
|
选配
|
|
|
1200V
|
1000V
|
200A
|
200A
|
|
|
2200V
|
400A
|
|
|
3300V
|
600A
|
|
|
4500V
|
1000A
|
|
|
6000V
|
2000A
|
|
配置/短路测试
|
|
电压
|
电流
|
短路测试
|
|
标配
|
选配
|
标配
|
选配
|
项目
|
范围
|
误差
|
分辨率
|
|
1200V
|
2200V
|
200A
|
400A
|
|
100V~1200V
|
±3%
|
10V
|
|
3300V
|
600A
|
测试电流
|
10A~75A
|
±3%
|
1A
|
|
4500V
|
1000A
|
短路电流
|
100A~500A
|
±3%
|
1A
|
|
6000V
|
2000A
|
短路时间
|
1 uS~10uS
|
可调
|
可调
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
测试功能
|
|
测试范围
|
测试参数
|
|
IPM
|
BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS
|
|
IGBT
|
ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)
|
|
DIODE
|
VF-Temp, Temp, VF revision
|
|
|
|
|
参数 / 精度
|
|
静态参数
|
|
动态参数
|
|
上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)
|
上
桥
开
关
参
数
|
集电极电压Vce:
100~1200V,
|
误差±3%,分辨率10V
|
|
上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)
|
|
上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)
|
集电极电流Ice:
10~75A,
|
误差±3%,分辨率1A
|
|
上桥驱动IC高端静态工作电流测试
(Iqbs-U,V,W)
|
|
VD=VBS=15V,
|
误差±3%,分辨率0.1V
|
|
上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)
|
VIN=0~5V
|
误差±3%,分辨率0.1V
|
上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)
|
ton-L : 10~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
上桥驱动IC导通阈值电压测试
(Vth(on)-UH VH WH)
|
tc(on)-L :5~200nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
toff-L: 50~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
上桥驱动IC关断阈值电压测试
(Vth(off)-UH VH WH)
|
tc(off)-L: 5~200nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
Trr-L :10~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)
|
Eon-L :0.1~10mJ,
|
误差±3%,分辨率0.1mJ
|
|
上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)
|
Eoff-L: 0.1~10mJ
|
误差±3%,分辨率0.1mJ
|
|
下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)
|
下
桥
开
关
参
数
|
集电极电压Vce:
100~1200V,
|
误差±3%,分辨率10V
|
|
下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)
|
|
故障输出电压测试(Vfoh Vfol)
|
集电极电流Ice:
10~75A,
|
误差±3%,分辨率1A
|
|
过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))
|
|
下桥欠压保护监测电平(UVdd)
|
VD=VBS=15V,
|
误差±3%,分辨率0.1V
|
|
下桥欠压保护复位电平(UVdr)
|
VIN=0~5V
|
误差±3%,分辨率0.1V
|
|
下桥驱动IC导通阈值电压
(Vth(on)-UL VL WL)
|
ton-L : 10~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
tc(on)-L :5~200nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
下桥驱动IC关断阈值电压
(Vth(off)-UL VL WL)
|
toff-L: 50~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
tc(off)-L: 5~200nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)
|
Trr-L :10~500nS,
|
误差±3%,分辨率1nS
|
|
下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)
|
Eon-L :0.1~10mJ,
|
误差±3%,分辨率0.1mJ
|
|
|
|
Eoff-L: 0.1~10mJ
|
误差±3%,分辨率0.1mJ
|
|
|
|
|