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变流器专用IPM测试仪

价        格:188.00元/台      立即购买
产品型号: ENI1220
有 效 期: 长期有效
所 在 地: 陕西省西安市
配送信息:
供应数量:1000
了解详情,请立即咨询!
 

   
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该公司共有 11条同类“西安谊邦YB6634晶体管特性图示仪”信息       查看全部>>
详细说明

ENI1220 IPM 测试系统

变流器专用IPM测试仪

系统概述

基础配置

该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,

系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。

电压

电流

标配

选配

标配

选配

1200V

1000V

200A

200A

2200V

400A

3300V

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

配置/短路测试

电压

电流

短路测试

标配

选配

标配

选配

项目

范围

误差

分辨率

1200V

2200V

200A

400A

100V~1200V

±3%

10V

3300V

600A

测试电流

10A~75A

±3%

1A

4500V

1000A

短路电流

100A~500A

±3%

1A

6000V

2000A

短路时间

1 uS~10uS

可调

可调

测试功能

测试范围

测试参数

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

参数 / 精度

静态参数

动态参数

上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V

上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A

上桥驱动IC高端静态工作电流测试

(Iqbs-U,V,W)

VD=VBS=15V,          

误差±3%,分辨率0.1V

上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V            

误差±3%,分辨率0.1V  

上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

上桥驱动IC导通阈值电压测试

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

toff-L: 50~500nS,  

误差±3%,分辨率1nS

上桥驱动IC关断阈值电压测试

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

Trr-L :10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,  

误差±3%,分辨率0.1mJ  

上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eoff-L: 0.1~10mJ  

误差±3%,分辨率0.1mJ

下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V

下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)

故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A

过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))

下桥欠压保护监测电平(UVdd)

VD=VBS=15V,          

误差±3%,分辨率0.1V

下桥欠压保护复位电平(UVdr)

VIN=0~5V            

误差±3%,分辨率0.1V  

下桥驱动IC导通阈值电压

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

下桥驱动IC关断阈值电压

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,  

误差±3%,分辨率1nS

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,  

误差±3%,分辨率0.1mJ  

Eoff-L: 0.1~10mJ  

误差±3%,分辨率0.1mJ


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