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ENJ2005-B IGBT测试系统

价        格:面议   
有 效 期: 长期有效
所 在 地: 陕西省西安市
配送信息:
供应数量:不限
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该公司共有 3条同类“分立器件测试系统”信息       查看全部>>
详细说明

产品介绍
  ENJ2005-B IGBT(绝缘栅双极型晶体管)测试系统(以下简称 ENJ2005-B 测试系统)符合:国际电工委员会 IEC 60747-9-2001 规范,符合国标 GB/T17007-1997 规范。ENJ2005-B 测试系统是本公司推出的一种先进的 IGBT 测试系统。适合研究所、生产企业做元器件筛选检验,IGBT 生产厂用做生产测试,院校做测试分析。

系统可扩展性强,通过选件可以提高电压、电流的测试能力,自动快速测试可以满足用户大生产需要,故障率低也保证了用户的生产效率。在 PC 窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程,操作人员不需具备专业计算机编程语言知识,使用简捷方便。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证各种情况下测试结果的准确可靠。系统面板的显示装置能够及时显示系统的各种工作状态和测试结果。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

基本配置

1、主极电压:  0--2000V ;
    2、电压分辨率:1mV
    3、主极电流:0---50A(100A200A400A

   500A700A800A1000A1300A可选)
    4、电流分辨率:1nA ;
    5、精度:0.5%+2LSB ;
    6、测试速度:0.5MS/参数;

7可提供的选件有 3000V 阳极高压选件。

序号

测试参数

别称

序号

测试参数

别称

1)

栅极-发射极阈值电压

Vgeth

2)

集电极-发射极截止电流

ICES

3)

集电极-发射极击穿电压

BVCES

4)

集电极-发射极饱和电压

VCESAT

5)

栅极-发射极漏电流正向  

IGESF

6)

栅极-发射极漏电流反向

IGESR

7)

门极开通电压

VGEON

8)

二极管压降

VF

9)

通态电流  

ICON

10)

跨导

GFS

11)

导通电阻  

RDSON

12)

其他功率器件(MOS,晶体管等)的测试

技术要求

工作温度: 25--40

贮存温度: -15--50

工作湿度: 45%--80%

贮存湿度:10%--90%

工作电压:200v--240v

电源频率:47HZ--63HZ

接地要求:供电电源应良好接地。

通信接口:RS232 USB

系统功耗:<150w

设备尺寸:450mm×570mm×280mm

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