ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6
to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
基本配置
1.测
试
电
压:
0-2KV
2.测
试
电
流: 0-50A,
(可扩展到1000A)
3.电
压分辨率:
1mV
4.电流
分辨率: 0.1nA
5.测
试
精
度: 0.2%+2LSB
6.测试速度:0.2MS/参数
1 |
双向可控硅(TRIAC)
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2 |
结型场效应管(J-FET ) |
3 |
MOS场效应管(Power MOSFET)
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4 |
晶体管(Transistor) |
5 |
绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT) |
6 |
达林顿阵列(Darliknton) |
7 |
可控硅整流器(SCR )
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8 |
稳压/齐纳二极管(Zener) |
9 |
三端稳压器(REGULATOR )
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10 |
光电耦合器(OPTO-COUPLER) |
11 |
二极管(Diode)
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12 |
双向触发二极管(DIAC) |
13 |
固态过压保护器(SOVP)
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14 |
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曲线测试种类
ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
IDSS vs. VDS RDS vs.
ID at several VGS
HFE vs. IC BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC
VCE(SAT) vs. IB
系统特点
1.图形显示功能
2.局部放大功能
3.程序保护电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10.曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护电流/电压,以防损坏
技术要求
工作温度:25℃--40℃
贮存温度: -15℃--50℃
工作湿度:45%--80%
贮存湿度:10%--90%
工作电压:200v--240v
电源频率:47HZ--63HZ
接地要求:供电电源应良好接地。
通信接口:RS232 USB
系统功耗:<150w
设备尺寸:450mm×570mm×280mm
测试功能
ENJ2005-C测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。