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企业新闻
晶体管测试系统的主要测试分析
发布日期:2014-09-17


    晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中,都要检测其性能。晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线,进而可测量各种直流参数。晶体管图示测试系统的应用确保了使用的电子产品的正常使用。

  主要技术指标

  线性集成电路测试

  失调电压:0~60mV误差±5%读+2字

  失调电流:0~10μA误差±5%读+2字

  输入偏置电流:0~10μA误差±5%读+2字

  差模开环增益:60~99.9dB误差±5%读+2字

  100~110dB误差±7%读+2字

  共模抑制比:60~99.9dB误差±5%读+2字

  100~110dB误差±7%读+2字

  输出幅度:±4V~±24V误差±7%读+2字

  静态消耗电流:0~20mA误差±5%读+2字

  半导体管测试

  集电极电压:0.05V/div~50V/div误差±3%

  二极管测试电压:0~3000V(配选购件)误差±5%

  基极电压:0.05V~1V/div误差±3%

  集电极电流:10μA~1A/div误差±3%

  集电极漏电流:0.2μA~5μA/div误差±3%~10%

  阶梯电压:0.05V~1V/级误差±3%

  阶梯电流:0.2uA~50mA/级误差±5%~7%

  △Ub:±8V

  功耗限制电阻:0~500KΩ误差±10%

 

 

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