西安谊邦专业从事大功率半导体器件测试设备的研发销售。IGBT测试系统更是打破了国外的垄断局面，给国内客户打来了极大地方便。我公司科研人员经过连续技术攻关,在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上,自行研发出国内首台igbt测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际水平。

　　IGBT测试系统参数及基本测试方法

　　IGBT的测试参数包括栅极-发射极阈值电压、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、IGBT开通关断时间以及续流二极管的恢复时间等。这些参数的测试方法符合国标GB/T17007-1997的标准，但部分参数的测试方法有所差异和改进。

　　(1)栅极-发射极阈值电压VGE(TO)测试:由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压;从零开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,当检测到集电极电流达到规定值时，此时的栅极电压值即为栅极-发射极阈值电压。

　　(2)栅极-发射极漏电流IGES测试:

　　集电极-发射极间短路;由电压源对被测器件施加规定的栅极-发射极电压,这时通过栅极-发射极回路的电流即为栅极-发射极漏电流。

　　(3)集电极-发射极截止电流ICES测试:栅极-发射极短路;由电压源对被测器件施加规定的集电极-发射极电压,这时通过集电极-发射极回路的电流即为集电极-发射极截止电流。

　　(4)集电极-发射极饱和电压VCE(sat)测试:由电压源对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极-发射极电流至规定值,这时相对栅极脉冲稳定部分的集电极-发射极电压即为集电极-发射极饱和电压值。

　　(5)开通时间ton测试:由电压源对被测器件施加规定幅值、脉宽及上升率的栅极电压;调节集电极电流至规定幅值,开通时间是指开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。

　　(6)关断时间toff测试:关断时间测试包含阻性负载和感性负载的测试。在相应的阻性负载或感性负载条件下,对被测器件施加规定幅值和脉宽的栅极电压;调节集电极电流至规定值,然后施加规定幅值、脉宽及下降率的反向栅极电压,关断时间是指关断延迟时间与电流下降时间之和。

　　(7)恢复时间测试:用于测量IGBT上反向续流二极管的恢复时间。首先在二极管上施加规定幅值的电流,经过一定时间后施加一个反向电流使其关断，同时施加规定幅值的反向电压,按照图2中的定义即可测得二极管的恢复时间。