IGBT测试系统是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。并且其能够用于变换器。将IGBT用于变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有：

　　（1）通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；

　　（2）利用缓冲电路抑制过电压并限制du/dt；

　　（3）利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。下面着重讨论因短路而产生的过电流及其保护措施。前已述及，IGBT由于寄生晶闸管的影响，当流过IGBT的电流过大时，会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，以避免出现擎住现象。一旦主电路发生短路事故，IGBT由饱和导通区进入放大区，集电极电流IC并未大幅度增加，但此时漏极电压很高，IGBT的功耗很大。短路电流能持续的时间t则由漏极功耗所决定。这段时间与漏极电源电压UDD、门极电压UGS及结温Tj密切相关。

　　随着电源电压的增加，允许短路过电流时间t减小。在负载短路过程中，漏极电流iD也随门极电压+UGS的增加而增加，并使IGBT允许的短路时间缩短。由于允许的短路时间随门极电压的增加而减小。所以，在有短路过程的设备中，IGBT的+UGS应选用所必须的最小值。必须指出，在允许的短路时间内，IGBT工作在放大区，漏极电流波形与门极输入电压波形很相似。对IGBT的过电流保护可采用集射极电压识别的方法，在正常工作时，IGBT的通态饱和电压降Uon与集电极电流iC呈近似线性变化的关系，识别Uon的大小即可判断IGBT集电极电流的大小。

　　IGBT测试系统作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。