IGBT测试系统的应用非常的广泛，IGBT驱动的设计也是要注意一些事项，通过合理的设计控制工作的正常运行，主要体现在以下几个方面：

　　⑴IGBT由于集电极-栅极的寄生电容的密勒效应的影响，能引起意外的电压尖峰损害，所以设计时应让栅极的阻抗足够低，以尽量消除其负面影响；

　　⑵栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大的影响，所以设计时要综合考虑；

　　⑶应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，达到短路保护的目的；

　　⑷在工作电流较大的情况下，为了减小关断过电压，应尽量减小主电路的布线电感，吸收电容应采用低感或无感型.

　　⑸IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个2.5～5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保

　　证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短；

　　⑹用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压Uge,有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能

　　提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏；

　　⑺驱动电平Uge也必须综合考虑。Uge增大时，IGBT通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的Ic增大，IGBT能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中Uge应选得小些，一般选12～15V；在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，须施加一负偏压Uge,但它

　　受IGBT测试系统的G、E间反向耐压限制，一般取1～10V；

　　⑻在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰电压，确保IGBT的安全；

　　⑼由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离；

　　⑽IGBT的栅极驱动电路应尽可能简单实用，自身带有对IGBT的保护功能，有较强的抗干扰能力。