晶体管的正常使用是由晶体管图示测试系统来进行检测的，晶体管图示测试系统是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。半导体管特性图示仪，功能强，操作方便，可根据需要测量二极管、三极管的低频直流参数，集电极电流可达10A，基本满足200W以下的晶体管测试。在检测的过程中也会常常出现一些疑问，对于出现的这些疑问，小编就相关知识与大家做以详细的介绍。

　　反向击穿电流的检测普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。

　　正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ（用R×10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ（用R×10k档测），实测值一般为500kΩ以上。

　　若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。

　　也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。

     晶体管图示测试系统在应用的过程中也常常会遇到各种各样的疑问，在使用的过程中也要注意一些细节，对于其具备的性能特征还有任何疑问也欢迎大家致电了解，我们全面为大家服务！