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IGBT测试系统的多用途径
发布日期:2014-04-19

    相关搜索:IGBT测试系统

 

 

  现代的测试设备所须的功能,必须能不被限制其电流及电压之供给。目前IGBT的产品其电流可通过1200A及阻断电压可高达3300V,但不久之后IGBT的产品即会有达到4500V及2000A的能力。且无人可预测未来其电压及电流可达到多少,再者,现今IGBT 的测试设备,也须能测试新组件MCTS ( MOS Contrlled Thyristort) 或是IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)。

  因此,测试设备的评估上,须能适应及符合未来可能的发展,其不论是硬件,如电压电流产生器或软件上。

  LEM公司推出的模块化解决的方法,其可不论何时皆可并联或串联的增加新的电源至其测试设备,且当有新的半导体组件须在特定的控制位准测试其特性时,甚至可更换闸极电路的控制模块,不过在一个模块的观念中,对一个己确定的功能上去附与可延展能力的功能是较困难的,因此在决定这些功能时应由整体设备的方向来给予特别的考虑。

  其中之一须考虑因子是测试的执行速度:若设备是想每小时可测200个IGBT模块,则操作系统的通讯总线,光纤/电气接口及数据Handly系统的选定即须依据此测试速率来决定。

  另一个重点是单个测试时的速度:此系统必须有能力去决定当半导体之温度升高所导致的能量消耗前的特性,以便能清楚地来修正其产品的特性,典型的测试速度是在高电流时量测VCEsat的时间是500μs

    关于IGBT测试系统的任何疑问欢迎致电,我们将竭诚为您服务!

 

 

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