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现在IGBT模块已经被广泛应用到电动汽车、电力电子、国家智能电网等等很多领域，因此掌握不同型号的IGBT参数特性对于任何一个科研人员和使用人员都显得尤为重要。 

　　目前进口IGBT测试设备多产于美国、意大利、日本、韩国等，价格都比较昂贵；国产IGBT测试设备小功率的比较多，大功率的测试设备还很少。

       BR3500新型半导体分立器件测试系统是西安佰人科技有限公司研发、生产的，用于测试大功率IGBT静态参数的专用设备。本系统是在国家科技部、国家高新技术西安产业园、西安市政府、国家外专局联合支持下, 结合国外进口先进测试系统技术研制、采用航天军用工艺生产的新型半导体全静态参数测试设备。本系统产品技术水平高于日本同类产品，接近美国和欧洲同类产品水平，性价比和售后技术服务明显优于进口产品。成为目前我国可以替代国外进口高端同类产品的半导体测试系统。

IGBT测试设备可测参数

可以测试ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、ICON、VGEON、VF、gFS 等一系列静态参数。

IGBT测试设备技术参数及可实现目标

主极电压：1000V 通过内部设置可扩展到：2000V 

　　主极电流:50A 加选件可扩展到：400A/500A/1000A/1250A 

　　控制极电压:20V 加大电流台选件可扩展到：80V 

　　控制极电流:10A 加大电流台选件可扩展到：40A 

　　电压分辨率:1mV 

　　电流分辨率:100pA 加小电流台选件可扩展到：1pA