晶体管图示测试系统一般参数简介

荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数，如反向饱和电流Icbo,Iceo和各种击穿电压BVceo、BVcbo、BVebo等。

可以从示波管的荧光屏上自动显示同一只半导体管的四种h参数，也可以同时进行二只半导体管的四种h参数自动比较或任选的两种h参数自动比较。

Y轴

集电极电流范围：1μA-200mA/div ，按1、2、5顺序分17档，误差≤±3% 

漏电流范围:10nA-500nA/div,按1、2、5顺序分6档，误差≤±10% 

基极源电压：0.01V-1V/div，按1、2、5顺序分7档，误差≤±3%

X轴

集电极电压范围：0.01V-50V/div ，按1、2、5顺序分12档，误差≤±3% 

基极电流或基极源电压：0.1V/div ，误差≤±3%

阶梯信号

阶梯电流范围：0.1μA/级-20mA/级 ，按1、2、5顺序分17档，误差≤±5% 

阶梯电压范围：0.01V/级-1V/级 ，按1、2、5顺序分7档，误差≤±5% 

阶梯极性：正、负两档,由测试盒NPN,PNP转换开关实现 

串联电阻：0-300KΩ,按1,3顺序分为11档,误差≤±5% 

每秒级数：200 

阶梯输入：正常、零电压、零电流三档 

集电极扫描信号

峰值电压及电流容量：0-50V 2A(峰值) 0-500V 0.2A(峰值) 

功耗限制电阻：0-500KΩ ,按1、2、5顺序分19档，误差≤±5% 

校准电压：可进行—10div校准，分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四档 

电源：220V±10% 50Hz±5% 

功率消耗：约45VA(时约92VA) 

预热时间：15min