IGBT 的 静态特性

      常规 IGBT测试系统只有正向阻断能力，由 PNP 晶体管的集电结承担，而其反向的电压
承受能力只有几十伏，因为 PNP 晶体管的发射结处没有任何终端和表面造型。 
IGBT 在通态情况下，除了有一个二极管的门槛电压（0.7V 左右）以外，其输出
特性与 VDMOS 的完全一样。图 3 一并给出了 IGBT 器件的正、反向直流特性曲线。
IGBT 的主要静态参数：
阻断电压 V（BR）CES – 器件在正向阻断状态下的耐压；
通态压降 VCE(on) – 器件在导通状态下的电压降
阈值电压 VGEth – 器件从阻断状态到导通状态所需施加的栅极电压 VG

IGBT测试系统  的开关特性

       IGBT测试系统 的开关机理与 VDMOS 完全一样，由 MOS 栅来控制其开通和关断。所不同
的是 IGBT 比 VDMOS 在漏极多了一个 PN 结，在导通过程中有少子空穴的参与，这就
是所谓的电导调制效应。 这一效应使得 IGBT 在相同的耐压下的通态压降比 VDMOS
的低。由于在漂移区内空穴的存在，在 IGBT 关断时，这些空穴必须从漂移区内消失。
与 VDMOS 的多子器件相比，IGBT 双极器件的关断需要更长的时间。
图 4  IGBT 器件的开关特性
IGBT测试系统 的主要开关参数：
开通时间 (td(on)+tr) – 器件从阻断状态到开通状态所需要的时间；
关断时间 (td(off)+tf) – 器件从开通状态到阻断状态所需要的时间；
开通能量(Eon) – 器件在开通时的能量损耗；
关断能量(Eoff) – 器件在关断时的能量损耗。